Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$

Проведено экспериментальное исследование изменения работы выхода поверхности полупроводников Si и GaAs при облучении ионами цезия. Рассмотрен механизм образования кластерных ионов CsM$^+$ (где M – анализируемый элемент). Рассчитаны потенциалы ионизации некоторых молекул CsM и предложена простая экспериментальная методика по определению поверхностной концентрации цезия, имплантированного в приповерхностную область различных материалов в процессе их распыления ионами цезия. Методика основана на использовании предварительно имплантированного в анализируемый образец калия как “внутреннего стандарта”.