RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1987, том 57, выпуск 8, страницы 1570–1574 (Mi jtf845)

Квантовая электроника

Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные испытания лазеров на основе InGaAsP/InP

В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Изучены низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных мезаполосковых структур IaGaAsP/InP, изготовленные жидкофазным эпитаксиальным методом на подложках $p$-InР. Образцы с порогом менее 20 мА при комнатной температуре позволяют получить непрерывную генерацию при $100^{\circ}$С. Наработка в непрерывном режиме при $100^{\circ}$С составила ${\sim100}$ ч. Скорость деградации экспоненциально растет с током накачки. Эквивалентная наработка при $22^{\circ}$С составила более 70 тыс. ч, медианная эквивалентная скорость деградации порога равна ${\sim1.5\cdot10^{-5}\,\text{ч}^{-1}}$ (в лазерах без защиты от действия окружающей атмосферы).

УДК: 621.378.3

Поступила в редакцию: 08.10.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024