Аннотация:
Изучены низкопороговые инжекционные
лазеры на основе зарощенных мезаполосковых структур IaGaAsP/InP, изготовленные
жидкофазным эпитаксиальным методом на подложках $p$-InР. Образцы
с порогом менее 20 мА при комнатной температуре позволяют получить
непрерывную генерацию при $100^{\circ}$С. Наработка в непрерывном режиме при
$100^{\circ}$С составила ${\sim100}$ ч. Скорость деградации экспоненциально
растет с током накачки. Эквивалентная наработка при $22^{\circ}$С составила более
70 тыс. ч, медианная эквивалентная скорость деградации порога
равна ${\sim1.5\cdot10^{-5}\,\text{ч}^{-1}}$ (в лазерах без защиты
от действия окружающей атмосферы).