Исследование индуцированной фото-термопроводимости в гетеропереходах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M

Исследована кинетика протекания фототока при “собственном” освещении с $h\nu\ge$ 1.12 eV в гетеропереходах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M при высоких приложенных напряжениях. Установлено, что протекаемый фототок, рассеиваемая мощность и температура на обратносмещенном контакте гетероперехода при постоянно приложенном напряжении, низких температурах и освещении гетеропереходов с $h\nu\ge$ 1.12 eV являются функцией времени. На основе анализа температурных зависимостей величины и формы нарастания фототока во времени показано, что импульсы фототока состоят из двух участков: первый соответствует медленно нарастающему малому значению тока с крутизной $\sim$ (2–4) $\cdot$ 10$^{-4}$ A/s, а второй участок характеризуется резким нарастанием тока с крутизной $\sim$ 0.1–1 A/s. По значениям крутизны оценены скорости нагрева $\beta_1$ = 42 deg/s и $\beta_2$ = 3 $\cdot$ 10$^3$ deg/s и величины градиентов температур на переходном слое, соответствующем границе раздела между Mn$_4$Si$_7$ и Si$\langle$Mn$\rangle$ $\Delta T/\Delta x$ = 6.3 $\cdot$ 10$^6$ K/сm для $\beta_1$ и $\Delta T/\Delta x\ge$ 1.5 $\cdot$ 10$^8$ K/cm для $\beta_2$. Показано, что джоулевым самонагревом можно достигать больших скоростей нагрева в обратносмещенном контакте гетеропереходов, что обеспечивает быстрое нагревание, подобное прямоугольной ступени возбуждения, которое эквивалентно включению длинноволнового (примесного) освещения.