Гистерезисные потери в скрученных сверхпроводящих композитах типа in situ

Исследованы гистерезисные потери в скрученных сверхпроводящих композитах типа in situ. Найдены выражения для удельной мощности потерь в случае провода, помещенного в поперечное магнитное поле малой амплитуды, и провода, несущего изменяющийся транспортный ток. Показано, что при малых амплитудах поля и транспортного тока скручивание может привести к существенному увеличению потерь.