Индуцированная термической обработкой “примесная” краевая фотопроводимость кристаллов CdS

Исследовано влияние закалки на спектры краевой фотопроводимости “совершенных” кристаллов CdS, измеренные при комнатной температуре и температуре кипения жидкого азота ($T$ = 77 K). Установлено, что закалка приводит к спектрально-неоднородному росту фоточувствительности полупроводника с преобладанием эффекта в “примесной” краевой области спектра. Предполагается связь этого эффекта с термостимулированным распадом собственно-дефектных нанокластеров.