Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS

Исследована релаксация низкотемпературных ($T$ = 77 K) спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS 1-й группы после выключения поперечного электрического поля. Обнаружен яркий эффект инверсии тонкой (экситонной) структуры спектров в процессе их релаксации к исходному (до наложения поперечного поля) виду. Показано, что наблюдаемые релаксационные изменения спектров фотопроводимости CdS обусловлены релаксацией неравновесного поверхностного заряда, возникающего за счет захвата медленными поверхностными состояниями (уровнями прилипания) части заряда, индуцированного в образец поперечным полем. Приведены экспериментальные данные по влиянию предварительной засветки собственным светом на спектры краевой фотопроводимости кристаллов CdS 1-й группы, свидетельствующие в пользу наличия в этих кристаллах поверхностных уровней прилипания с высокой плотностью.