RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 9, страницы 73–83 (Mi jtf8538)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Твердотельная электроника

Кристаллизация и термохромизм в отожженных гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама

В. И. Шаповаловa, А. Е. Лапшинb, А. Е. Комлевa, М. Ю. Арсентьевb, А. А. Комлевa

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197238, Санкт-Петербург, Россия
b Институт химии силикатов имени И. В. Гребенщикова РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты исследования кристаллических фаз в гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама, после ступенчатого отжига в вакууме и на воздухе в диапазоне температур 500–750$^\circ$C. Пленки были осаждены на подложку из кварцевого стекла методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Установлено, что формирование кристаллических фаз в одиночных пленках и двухслойных структурах протекает различным образом. В двухслойных структурах на кристаллизацию оказывает влияние порядок расположения слоев на подложке. Термохромизм в структурах, отожженных в вакууме, обусловлен дефектной по кислороду фазой WO$_{3-x}$, относящейся к гексагональной сингонии, которая интенсивно развивается при повышении температуры от 650 до 750$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 15.05.2012


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:9, 1313–1322

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025