Аннотация:
Приведены результаты исследования кристаллических фаз в гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама, после ступенчатого отжига в вакууме и на воздухе в диапазоне температур 500–750$^\circ$C. Пленки были осаждены на подложку из кварцевого стекла методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Установлено, что формирование кристаллических фаз в одиночных пленках и двухслойных структурах протекает различным образом. В двухслойных структурах на кристаллизацию оказывает влияние порядок расположения слоев на подложке. Термохромизм в структурах, отожженных в вакууме, обусловлен дефектной по кислороду фазой WO$_{3-x}$, относящейся к гексагональной сингонии, которая интенсивно развивается при повышении температуры от 650 до 750$^\circ$C.