Зондовая микроскопия резистивного переключения в нанокристаллическом оксиде меди (Cu$_x$O)

Исследован эффект резистивного переключения в нанокристаллических пленках оксида меди (Cu$_x$O), синтезированных вакуумно-дуговым осаждением в аргон-кислородной атмосфере. Методами рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии изучены структурные и электрофизические свойства пленок с различным фазовым составом (Cu$_2$O, CuO, смешанные фазы). Установлено, что изменение парциального давления кислорода при синтезе позволяет управлять стехиометрией и дефектной структурой оксидов. Режимы проводящей атомно-силовой микроскопии использованы для локального анализа резистивного переключения, демонстрирующего биполярное поведение для смешанных фаз Cu$_x$O. Результаты подтверждают перспективность нанокристаллических оксидов меди для создания мемристоров с управляемыми характеристиками.