Аннотация:
Предложен метод получения однослойных пленок оксида графена большой площади на поверхности подложек из полупроводникового кремния осаждением из водных суспензий. Оксид графена синтезирован из природного кристаллического графита в процессе химического окисления и представляет собой широкозонный диэлектрический материал. Восстановлением пленок оксида графена может быть получен однослойный графен с размером однородных фрагментов до 50 $\mu$m, что существенно превосходит ранее опубликованные результаты.