RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 12, страницы 119–127 (Mi jtf8647)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Физическая электроника

Особенности структуры приэлектродных диссоциационно-рекомбинационных заряженных слоев при разных уровнях низковольтной проводимости слабопроводящей жидкости

Ю. К. Стишков, В. А. Чирков

Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Проведено компьютерное моделирование процессов токопрохождения сквозь слабопроводящие жидкости в системе электродов с сильнонеоднородным распределением напряженности электрического поля при напряжениях ниже и выше порога возникновения электрогидродинамических течений. Рассмотрена структура приэлектродных диссоциационно-рекомбинационных слоев в двух моделях зарядообразования – с постоянной диссоциацией в объеме, но без инжекции и одновременно с инжекцией с электрода и с постоянной диссоциацией в объеме. Проанализирована смена полярности приэлектродного заряженного слоя при повышении напряжения и при изменении уровня низковольтной проводимости жидкости. В рамках единой математической модели получены два типа электрогидродинамических течений, возникающих в реальных электрогидродинамических устройствах и имеющих противоположное направление.

Поступила в редакцию: 28.01.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:12, 1822–1830

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025