Мемристорный эффект на пучках вертикально ориентированных углеродных нанотрубок при исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии

Представлены результаты экспериментальных исследований массива вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Показано, что при приложении внешнего электрического поля в системе СТМ-зонд/ВОУНТ индивидуальные вертикально ориентированные углеродные нанотрубки объединяются в пучки, диаметр которых зависит от радиуса острия СТМ-зонда. Выявлено наличие мемристорного эффекта на ВОУНТ. Для исследуемого массива ВОУНТ отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состояниях при напряжении 180 mV составило 28. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления приборов наноэлектроники на основе массивов ВОУНТ, в том числе элементов сверхбыстродействующих ячеек памяти для приборов вакуумной микроэлектроники.