Чувствительные элементы преобразователей давления на основе слоистых интеркалированных кристаллов InSe, GaSe и Bi$_2$Te$_3$

Показана принципиальная возможность использования слоистых полупроводниковых кристаллов InSe, GaSe и Bi$_2$Te$_3$ в качестве чувствительных элементов для преобразователей давления. Предложены два способа измерения давления на основе слоистых кристаллов: по зависимости параметра (тока) интеркаляции от давления и по зависимости электродвижущей силы интеркалата от давления.