RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2025, том 95, выпуск 12, страницы 2281–2284 (Mi jtf8712)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург
Матфизика и численные методы

Иммиттансная спектроскопия высокого разрешения: приложение для исследования полупроводниковых приборов и оценка перспективности их применения в биоэлектронике

Н. А. Бойцоваa, А. А. Абелитa, Н. А. Верловb, Д. Д. Ступинa

a Академический университет им. Ж.И. Алфёрова РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 188300 Гатчина, Ленинградская обл., Россия

Аннотация: Продемонстрированы преимущества применения иммиттансной спектроскопии высокого разрешения (ИСВР) для диагностики полупроводниковых (ПП) приборов. Показано, что ИСВР позволяет не только получать классические вольт-фарадные (CV) характеристики ПП приборов, но и распознавать природу их электрических свойств, в частности, обнаруживать шунтирующие утечки в $p$$n$-переходах. В результате сравнительного анализа ИСВР данных для ПП приборов и биоспецифичных электродов (биоэлектродов) продемонстрировано, что их спектры в общем случае хорошо описываются R-CPE цепочками, что может быть использовано при конструировании биоэлектронных приборов, использующих в своем устройстве как металлические, так и ПП электроды.

Ключевые слова: иммиттанс, фотодиод, солнечная батарея, биоэлектроды.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 30.06.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.12.61774.240-25



© МИАН, 2025