RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 4, страницы 108–116 (Mi jtf8800)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Использование различных катализаторов роста для лазерного напыления микро- и наностержней ZnO

Н. В. Лянгузовa, В. Е. Кайдашевa, И. Н. Захарченкоb, Ю. А. Купринаb, О. А. Бунинаb, Ю. И. Юзюкc, А. П. Киселевd, Е. М. Кайдашевa

a Южный федеральный университет, Научно-исследовательский институт механики и прикладной математики, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
b Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
c Южный федеральный университет, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
d Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия

Аннотация: С помощью метода импульсного лазерного напыления получены микро- и наностержни ZnO с использованием различных катализаторов роста при температурах, близких к оптимальным для каждого типа катализатора. Сравнительный анализ оптических и структурных свойств полученных образцов показал, что при снижении температуры роста при использовании подложек Al$_2$O$_3$ (11–20) уменьшаются внутренние напряжения в стержнях, что приводит к улучшению структуры и оптических свойств. При использовании подложек GaN/Si такой эффект не наблюдается из-за сильных напряжений, вносимых разностью параметров решеток. При повышении температуры синтеза увеличиваются внутренние напряжения и концентрация точечных дефектов решетки, происходит релаксация правил отбора, и наблюдаются множественные обертоны фонона A$_1$(LO). Получено качественное соответствие результатов расчетов деформаций кристаллической решетки, произведенных по параметру $a$ элементарной ячейки и по сдвигу частоты фонона A$_1$(LO). Исследование фотолюминесценции образцов показало, что снижение температуры синтеза уменьшает дефектность стержней ZnO и позволяет улучшить их оптические свойства для УФ-приложений.

Поступила в редакцию: 04.08.2010
Принята в печать: 05.07.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2012, 57:4, 534–542

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025