Высокоэффективные тонкопленочные солнечные элементы (ТСЭ) для преобразования концентрированного излучения

Исследованы возможности повышения КПД ТСЭ с копланарными тыльными контактами, отделяемых от монокристаллической подложки, для преобразования концентрированного солнечного излучения. Показано, что рассмотренные конструкции ТСЭ с выводом $p$-области на тыльную сторону позволяют исключить зависимость между коэффициентом затенения солнечного элемента и площадью металлической контактной сетки к $p$-области. В результате при степени концентрации солнечного излучения 1000 солнц ТСЭ обладает коэффициентом затенения не более 2.5% при площади $p$-контакта 21% от общей площади ТСЭ, а общие потери мощности не превышают 4.5%, причем основной вклад вносят потери на сопротивлении растекания по полупроводниковой структуре и на затенении ТСЭ. Показана возможность уменьшения еще на порядок коэффициента затенения ТСЭ.