И. А. Тарасов, Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, С. М. Жарков, В. А. Швец, С. Г. Бондаренко, О. Е. Терещенко, “Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)”, ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 9,страницы 44

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Оптика, квантовая электроника

Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)

И. А. Тарасов^ab, Н. Н. Косырев^ab, С. Н. Варнаков^ab, С. Г. Овчинников^a, С. М. Жарков^ac, В. А. Швец^de, С. Г. Бондаренко^a, О. Е. Терещенко^d

^a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
^b Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия
^c Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
^d Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO$_2$/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии “Ангара”. Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.

Поступила в редакцию: 04.10.2011