С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум, “Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния”, ЖТФ, 2012, том 82, выпуск 12,страницы 63

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Твердотельная электроника

Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния

С. Н. Нагорных^ab, В. И. Павленков^ac, А. Н. Михайлов^a, А. И. Белов^a, Л. В. Красильникова^ad, Д. И. Крыжков^d, Д. И. Тетельбаум^a

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный педагогический университет им. Козьмы Минина – Мининский университет, 603950 Нижний Новгород, Россия
^c Арзамасский государственный педагогический институт им. А. П. Гайдара, 607220 Арзамас, Нижегородская область, Россия
^d Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Представлена четырехуровневая модель фотолюминесценции массивов нанокристаллов $\mathrm{Si}$ в $\mathrm{SiO}_2$, учитывающая термоактивированные переходы между синглетным и триплетным уровнями обменно-расщепленного энергетического состояния экситона в возбужденном нанокристалле кремния. Получено выражение для температурной зависимости интенсивности монохроматических составляющих фотолюминесценции. Путем сравнения с оригинальными экспериментальными данными для ионно-синтезированных нанокристаллов $\mathrm{Si}$ в матрице $\mathrm{SiO}_2$ найдена связь между величиной расщепления и энергией излучаемых фотонов. Модель объясняет конечную интенсивность фотолюминесценции при температурах, близких к 0 K, и немонотонность температурной зависимости интенсивности от температуры.

Поступила в редакцию: 31.01.2012