Измерение глубоких микрорельефов и стереосъемка в растровой электронной микроскопии

Проанализированы принципиальные различия между обычной фотографией и съемкой микрообъектов в растровой электронной микроскопии (РЭМ). Описаны основные правила и приемы для получения стереоскопических изображений в РЭМ методом поворота образца, а также техника их наблюдения. Показано, что стереофотография дает правильную оценку пространственного взаимного расположения элементов образцов со сложным микрорельефом и позволяет с высокой точностью рассчитывать глубину (в ряде случаев превышающую размер поля зрения при больших увеличениях) этого рельефа в широких пределах (от 0.5 до 100 $\mu$m). На примере развитой поверхности оксида Li$_4$Ti$_5$O$_{12}$ и нитевидных монокристаллов GaAs описана методика такого расчета, основанная на линейных измерениях одного и того же участка образца, снятого до и после его поворота.