RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2011, том 81, выпуск 2, страницы 103–107 (Mi jtf9053)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Твердотельная электроника

Исследования фотопроводящих и фотодиэлектрических свойств гетероструктур из пленок поли-$N$-эпоксипропилкарбазола и MEH-PPV с добавкой октабутилфталоцианина цинка

Н. А. Давиденкоa, С. В. Дехтяренкоa, А. В. Козинецa, А. С. Лобачb, Е. В. Мокринскаяa, В. А. Скрышевскийa, Н. Г. Спицынаb, С. Л. Студзинскийa, О. В. Третякa, Л. С. Тонкопиеваa

a Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, 01601 Киев, Украина
b Институт проблем химической физики РАН, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия

Аннотация: Получены гетероструктуры из пленок поли-$N$-эпоксипропилкарбазола и [2-метокси-5-(2'-этилгексилокси)-1,4-фенилен-винилена] с добавками 2,3,9,10,16,17,23,24-октабутилфталоцианина цинка. Исследованы фотопроводящие и фотодиэлектрические свойства гетероструктур в области поглощения металлокомплекса. Фоточувствительность исследованных образцов определяется триплетным состоянием фотогенерированных электронно-дырочных пар, их диссоциацией во внешнем электрическом поле и захватом носителей заряда на энергетические ловушки. Повышенная фоточувствительность гетероструктур по сравнению с монослоями пленок поясняется большей эффективностью диссоциации фотогенерированных электронно-дырочных пар и нивелированием ловушек для неравновесных носителей заряда на границах раздела пленок.

Поступила в редакцию: 17.03.2010


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:2, 259–263

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025