Аннотация:
Предложена самосогласованная модель роста и структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК). Исследуется вопрос о кристаллической фазе ННК полупроводниковых соединений III–V. Рассчитан критический радиус перехода от гексагональной вюрцитной (WZ) структуры к кубической структуре типа цинковой обманки (ZB) в зависимости от параметров системы материалов и пересыщения газообразной среды. Представленная модель применима как для газофазной, так и для молекулярно-пучковой эпитаксии и позволяет рассчитывать вероятности образования фаз WZ и ZB при различных условиях осаждения.