RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2011, том 81, выпуск 11, страницы 125–129 (Mi jtf9293)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Свойства низкорефрактивных пленок, полученных по методу близкого переноса при сублимации графита в квазизамкнутом объеме

Н. В. Сопинский, В. С. Хомченко, О. С. Литвин, А. К. Савин, Н. А. Семененко, А. А. Евтух, В. П. Соболевский, Г. П. Ольховик

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Представлены результаты исследований свойств низкорефрактивных углеродных пленок, нанесенных технологией близкого переноса при сублимации графита в закрытом объеме. При помощи метода монохроматической многоугловой эллипсометрии исследованы оптические свойства пленок, а по методу атомно-силовой микроскопии – морфология их поверхности. Установлено, что пленки имеют столбчатую структуру с базовой шероховатостью поверхности $\sim$1 nm, кроме того, на поверхности пленки присутствуют отдельные островки сечением основы $\sim$200 nm и высотой до 50 nm. Показано, что осаждение низкорефрактивной углеродной пленки по методу близкого переноса на поверхность кремниевых острий приводит к снижению порога электронной полевой эмиссии и резкому росту величины тока.

Поступила в редакцию: 28.02.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2011, 56:11, 1665–1669

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025