Модификация параметров AlGaN/GaN-транзисторных структур пассивацией и обработкой в водородной плазме

Продемонстрирована эффективность пассивации AlGaN/GaN-транзисторных структур низкотемпературным нитридом кремния H$_x$Si$_r$N$_z$H$_y$. Показано значительное увеличение крутизны вольт-амперной характеристики, тока насыщения и коэффициента полезного действия. Разработан эффективный процесс гидрогенизации объема H$_x$Si$_r$N$_z$H$_y$/AlGaN/GaN-транзисторных структур, который включает: изменения зарядовых состояний в объеме диэлектрика H$_x$Si$_r$N$_z$H$_y$ и состояний, связанных с границей раздела H$_x$Si$_r$N$_z$H$_y$/AlGaN, а также пассивацию атомами водорода точечных дефектов кристаллической структуры в эпитаксиальных слоях AlGaN и GaN. Как процесс пассивации нитридом кремния, так и процесс гидрогенизации разработаны на основе технологии с использованием плазмы электронного циклотронного резонанса. Процесс гидрогенизации является эффективным и простым решением для компенсации негативных процессов термодеструкции (депассивации), которые протекают на высокотемпературных ($>$ 600$^\circ$C) стадиях в технологическом цикле производства AlGaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов.