RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2026, том 96, выпуск 3, страницы 591–601 (Mi jtf9685)

Физическая электроника

Влияние прекурсора иодида аммония на структуры и время жизни носителей заряда в фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца

К. С. Макарукab, Б. Н. Мирошниковa, А. Д. Бариновa, А. И. Поповa, И. Н. Мирошниковаa, Т. Д. Пацаевc, А. Л. Васильевc, А. В. Горячевb, Л. Н. Маскаеваde

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», 111250 Москва, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
d Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620062 Екатеринбург, Россия
e Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, 620062 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Изучены структура и характеристики фоточувствительных элементов на базе тонких пленок сульфида свинца (PbS), полученных химическим осаждением в присутствии прекурсора иодида аммония (NH$_4$I) в различных молярных содержаниях. Установлено, что иод и его соединения, сформированные на ранней стадии осаждения тонких пленок, способствуют изменению механизма формирования структур, что приводит к уменьшению толщины кислородосодержащих прослоек между отдельными кристаллитами и оказывает решающее влияние на увеличение подвижности носителей заряда. Выяснено, что увеличение чувствительности на низких частотах (до 800 Hz) связано с формированием кислородосодержащих примесей и появлением второй группы носителей заряда с временами жизни 860–930 $\mu$s.

Ключевые слова: тонкие пленки, структура, сульфид свинца, химический метод осаждения, фоточувствительные элементы, фотоэлектрические параметры, время релаксации.

Поступила в редакцию: 14.07.2025
Исправленный вариант: 23.10.2025
Принята в печать: 13.11.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.03.62544.181-25



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026