Аннотация:
Предложена теория работы мощных высоковольтных составных
транзисторов (ВСТ) в стационарных режимах насыщения. В основу теории
наряду с другими факторами положен фундаментальный для высоковольтных
транзисторных структур эффект модуляции проводимости слаболегированных
коллекторных областей. Показано, что в ВСТ в отличие от низковольтных
составных транзисторов первым из режима усиления в режим насыщения переходит
выходной транзистор. Эти транзисторы целесообразно характеризовать тремя
граничными режимами, а не двумя, как одиночные высоковольтные
$n^{+}{-}n{-}p{-}n^{+}$-структуры. Основные положения предложенной
теории подтверждены результатами эксперимента.
УДК:
621.382.3
Поступила в редакцию: 15.02.1985 Исправленный вариант: 17.06.1985