Аннотация:
Исследовано образование гелиевых пузырьков в образцах стали 18–10 и сплава никеля 20–45, имплантированных ионами He при растяжении, а также выхода гелия в условиях высокотемпературной деформации. Во время имплантации гелия внешнее растягивающее напряжение способствует образованию пузырьков и распуханию материала. Отжиг и деформация материала после облучения также приводят к увеличению размеров пузырьков. Миграция пузырьков гелия и скопление их на границах зерен ведет к образованию трещин. Миграция пузырьков вызвана градиентом напряжения. Деформация облученных материалов приводит к увеличению скорости выделения накопленного гелия. Предложена модель развития гелиевой пористости в материале под напряжением. Сформулирован критерий хрупкого разрушения материала.
Поступила в редакцию: 12.07.2007 Принята в печать: 20.02.2008