RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 4, страницы 156–158 (Mi jtf9788)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Краткие сообщения

Формирование наноразмерных частиц карбида кремния и алмазов в поверхностном слое кремниевой мишени при короткоимпульсной имплантации ионов углерода

Г. Е. Ремнёвa, Ю. Ф. Ивановb, Е. П. Найденc, М. С. Салтымаковa, А. В. Степановa, В. Ф. Штанькоd

a Научно-исследовательский институт высоких напряжений Томского политехнического университета, 634028 Томск, Россия
b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
c Сибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия
d Томский политехнический университет, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования синтеза наноразмерных частиц карбида кремния и алмазов при короткоимпульсной имплантации ионов углерода и протонов в кремниевую мишень. Эксперименты проведены с использованием источника импульсных мощных ионных пучков “ТЕМП” на основе магнитоизолированного диода с радиальным магнитным полем $B_r$. Параметры пучка: энергия ионов 300 keV, длительность импульса 80 ns, состав пучка ионы углерода и протоны, плотность ионного тока 30 A/cm$^2$. В качестве мишени использованы пластины монокристаллического кремния. При последовательном воздействии более 100 импульсов наблюдалось формирование в поверхностном слое кремния наноразмерных частиц SiC и наноалмазов. Средний размер области когерентного рассеяния частиц SiC и наноалмазов 12–16 и 8–9 nm соответственно.

Поступила в редакцию: 05.08.2008


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2009, 54:4, 600–602

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026