Моделирование и экспериментальное исследование AlGaAs/GaAs-структур для реализации ИК детекторов

Проведено теоретико-экспериментальное исследование структур AlGaAs/GaAs с множественными квантовыми ямами, предназначенных для фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона, работающих при комнатной температуре. На основе теоретических оценок были сформулированы первичные требования к составу, толщинам и степени легирования слоев исследуемых структур. Энергетическая электронная структура, экспериментально восстановленная методом фотоотражения, использована для уточнения расчетной модели, реализованной на базе метода конечных элементов. Это позволило воспроизвести зонную диаграмму и энергетические уровни с высокой точностью, а также определить параметры, необходимые для расчета спектров поглощения. На их основе были построены спектры поглощения для различных концентраций легирующих примесей, показавшие усиление пика поглощения с увеличением уровня легирования.