Структурные изменения и глубинное перераспределение имплантированных примесей In и As в Si при стационарной и импульсной термообработке

Формирование в приповерхностной области монокристаллического кремния (Si) наночастиц узкозонного арсенида индия (InAs) является одним из подходов к расширению оптического поглощения и фотоотклика Si на ближнюю и среднюю ИК область ($\lambda$ = 1.1–3.5 $\mu$m). Синтез наночастиц InAs в Si может быть проведен методом высокодозной ионной имплантации с последующим стационарным или импульсным отжигом. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия исследовано распределение концентрации внедренной примеси по глубине и местоположение в кристаллической решетке Si последовательно имплантированных ионов In$^+$ (30 keV, 2 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$) и As$^+$ (25 keV, 2 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$) до и после различных термических воздействий в твердофазном и жидкофазном режимах. Установлены режимы термических воздействий, при которых происходит наилучшее восстановление нарушенной кристаллической структуры Si и создаются условия для синтеза фазы InAs при наибольшем перекрытии профилей концентрации примесных атомов.