Собственное поле тока смещения преобразователя Холла и установка для его исследования

Изучено влияние собственного поля тока смещения через преобразователь Холла на исследуемые объекты и точности измерений холловского магнитометра. Рассмотрено собственное поле гетероэпитаксиального преобразователя со структурой $n$-InSb–$i$-GaAs. Для проведения исследований разработана установка, позволяющая с точностью $\sim$1 $\mu$m перемещать исследуемый преобразователь относительно измерительного вдоль оси $Z$ на расстояние до 25 mm, вращать исследуемый преобразователь вокруг своей оси на 360$^\circ$ с точностью 2$^\circ$, а также с точностью $\sim$1 $\mu$m линейно двигать его вдоль оси $X$ на расстояние до 5 mm. Обнаружено, что из-за разрывов контура силовых линий индукции собственного поля на краях тонкой эпитаксиальной пленки $n$-InSb возникают скачки индукции возле холловских контактов преобразователя. При неоднородном распределении тока смещения по сечению пленки из-за анизотропии и возникших дефектов, созданных механическими напряжениями в пленке при ее выращивании на подложке, неэквипотенциальности холловских контактов и произвольном расположении выходных проводов преобразователя приводят к созданию на холловских контактах напряжения, которое накладывается на полезный холловский сигнал, вызывая ошибку.