Влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик МПМ-фотодиода

Исследовано влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик фотодетектора в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Отклик детектора лучше при низком уровне сигнала оптического возбуждения. При большом уровне энергии импульса оптического возбуждения возможно улучшение сигнала отклика детектора при увеличении смещения. Установлены преимущества МПМ-диода на основе GaN при детектировании излучения с большой энергией импульса. Анализ показывает, что при энергии импульса оптического возбуждения 60 pJ на длине волны 290 nm, быстродействие GaN МПМ-детектора может достигать $\sim$ 25 ps.