Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs$_2$ моноклинной модификации

Методом направления кристаллизации близкого к стехиометрическому составу соединения расплава выращены монокристаллы ZnAs$_2$ моноклинной модификации, на которых созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки Cu(In)/$p$-ZnAs$_2$ и получены их первые спектры фоточувствительности в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность новых структур. На основании анализа спектров фотоактивного поглощения моноклинной модифицации ZnAs$_2$ установлено, что минимальные прямые межзонные переходы в этих кристаллах преимущественно разрешены в поляризации $\mathbf{E}\parallel$ оси OZ и могут быть использованы, в частности, при создании новых устройств – поляризационно-управляемых переключателей спектрального диапазона фоторегистрации падающего излучения.