Эллипсометрический in situ контроль квантовых наноструктур с градиентными слоями

Рассмотрены методические вопросы, связанные с эллипсометрическим контролем при выращивании квантовых наноструктур с градиентным распределением состава. Показано, что чувствительность эллипсометрических измерений можно заметно повысить, если использовать при интерпретации данных информацию о производных $(d\psi)/(d\Delta)$, которые получают в процессе роста структур. При таком подходе удается различать структуры с различными значениями градиентов состава. При этом кривые, построенные в координатах "параметр $\Delta$-производная $(d\psi)/(d\Delta)$" имеют характерные изломы в тех точках, где наблюдается скачок градиента состава. Сделана оценка точности рассматриваемого подхода применительно к эллипсометрам серии ЛЭФ и показано, что для структур с большим градиентом ($\delta x/d\sim$ 0.5 nm$^{-1}$) возможно его измерение в самом начале роста, когда толщина градиентного слоя не превышает 1 nm.