Аннотация:
На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с оригинальной конструкцией волновода, содержащий две квантовые ямы и генерирующий при температуре жидкого азота одновременно $TE_0$- и $TE_1$-моды с длинами волн 1.05 и 0.9 $\mu$m соответственно.