RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 11, страницы 150–152 (Mi jtf9994)

Краткие сообщения

Одновременная генерация $TE_0$- и $TE_1$-мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде

В. Я. Алешкинa, А. А. Бирюковb, А. А. Дубиновa, Б. Н. Звонковb, С. М. Некоркинb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с оригинальной конструкцией волновода, содержащий две квантовые ямы и генерирующий при температуре жидкого азота одновременно $TE_0$- и $TE_1$-моды с длинами волн 1.05 и 0.9 $\mu$m соответственно.

Поступила в редакцию: 03.12.2008


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2009, 54:11, 1711–1713

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026