Усредненная модель распределения примеси в кристалле, выращиваемом методом Чохральского

Для модельных задач, приближенно описывающих процессы тепло- и массопереноса в методе выращивания монокристаллов по Чохральскому, определяются зависимости от параметров задачи эффективных скоростей испарения, растворения (кислорода в кремнии), а также эффективного коэффициента равновесного распределения легирующей примеси. Полученные эффективные величины используются для расчета примеси по длине кристалла, выращиваемого как во внешнем магнитном поле, так и без него.