Выращивание монокристаллов по методу Чохральского в магнитном поле при пропускании через расплав электрического тока

В работе проводится сравнение результатов численных и натурных экспериментов по распределению легирующей примеси в кристаллах, выращиваемых по методу Чохральского в магнитном поле, в том числе, и при пропускании через расплав электрического тока. Показано, как с помощью серии расчетов получить параметры выращивания, обеспечивающие малый разброс примеси как по радиусу, так и по длине кристалла.