Матем. моделирование,
1994, том 6, номер 5, страницы 15–20
(Mi mm1863)
|
Математические модели и вычислительный эксперимент
Численное моделирование емкости р-n переходов в полупроводниковых приборных структурах
В. А. Жук,
В. Д. Курьязов,
В. А. Цурко Институт математики НАН Беларуси
Аннотация:
Предлагается метод нахождения барьерных емкостей на основе расчета напряженности электрического поля в окрестности р-n перехода.
УДК:
519.6:621.382
Поступила в редакцию: 10.03.1992
Реферативные базы данных:
© , 2024