Численное моделирование задачи получения монокристаллов методом Чохральского в ампуле

В работе рассматривается постановка сопряженной задачи о выращивании монокристаллов методом Чохральского в ампуле (радиус кристалла равен радиусу ампулы) с учетом влияния теплопроводности ампулы и кристалла. Приводятся результаты расчетов и указываются режимы выращивания, при которых фронт кристаллизации будет слабо изогнутым и почти всюду выпуклым в расплав.