Аннотация:
В работе рассматриваются проблемы моделирования доменных границ и блоховских линий – носителей информации в магнитоэлектронных запоминающих устройствах. Приведены результаты о существовании и гладкости решений основных микромагнитных задач. Анализируются численные методы, применяемые при моделировании статики и динамики двумерных и трехмерных микромагнитных структур.