Асимптотика решения уравнения Пуассона для полупроводниковой структуры во внешнем поле

Методом пограничных функций построено асимптотическое приближение по малому параметру для решения уравнения Пуассона, описывающего распределение электростатического потенциала в двумерной области (с гладкой границей), моделирующей полупроводниковую структуру во внешнем электрическом поле.