Границы применимости локально-полевых моделей полупроводниковых приборов

Исследованы эффекты, возникающие в одномерной структуре инжекционно-пролетного диода в условиях нестационарного разогрева электронов. Исследование проведено с помощью численной модели в приближении квазигидродинамики и локально-полевой модели. Определены границы применимости локально-полевого приближения для кремния и арсенида галлия. Показано, что локально-полевая модель удовлетворительно описывает процессы переноса электронов в структурах, размер которых превышает 0,5 мкм для арсенида галлия и 0,05 мкм – для кремния.