Математическое моделирование двумерных диффузионных процессов в пленочных микроструктурах

Математическое моделирование диффузионных процессов в пленочных микроструктурах позволяет выделить особенности распределения диффузанта, которые трудно наблюдать в чистом виде в реальной интегральной микросхеме (ИМС).
Приводится численное решение системы дифференциальных уравнений, описывающих двумерные процессы диффузии в приближении трехслойной модели пленочных микроструктур ИМС.
Исследован алгоритм выбора переменного временного шага по критерию роста концентрации на каждом временном слое, позволяющий оптимизировать решение задачи.
На конкретных примерах рассмотрены алгоритмы, учитывающие сегрегационные скачки концентраций и коэффициентов диффузии на границах раздела сред при различных параметрах системы.