Численное моделирование формирования субмикронных легированных областей в полупроводниковых структурах

Рассматриваются вычислительные аспекты моделирования распределения легирующих примесей в результате термического отжига кремниевых пластин. Разностные схемы строятся на нерегулярной подвижной сетке, учитывающей характер изменения решения. Приводятся примеры моделирования технологии формирования сток-истоковых областей МОП-приборов и активных областей биполярных транзисторов.