Моделирование нестационарного дрейфа носителей в инжекционно-пролетном диоде

Проведено моделирование инжекционно-пролетного диода в рамках квазигидродинамического приближения. Рассчитаны высокочастотные характеристики прибора в нелинейном режиме. Определены предельные параметры генерации в зависимости от размеров и профиля легирования полупроводниковой структуры.