Математическое моделирование оптической бистабильности при тепловом отклике полупроводника

Численно исследуется динамика взаимодействия светового импульса с оптически бистабильной полупроводниковой пластинкой. В случае оптически толстого образца получен режим взрывного поглощения световой энергии; обнаружено, что при определенных значениях толщины пластинки и коэффициентов поглощения, и теплопроводности имеет место локализация температурного поля образца. В случае экситонного поглощения получен эффект мультистабильности. Предложена замена переменных, позволившая в ряде случаев сократить время расчетов на ЭВМ в $4\div10$ раз. Определены соотношения параметров излучения и коэффициента теплопроводности, необходимые для реализации бистабильности, а также трубчатого профиля на выходе из пластинки первоначально гауссова пучка. Показано, что учет температурной зависимости коэффициента теплопроводности является принципиальным.