Математическое моделирование фотоэлектрических процессов в полупроводниковых элементах при высоких уровнях фотовозбуждения

На основе метода прямых разработана методика численного решения нестационарных задач теории полупроводниковых приборов. Для решения задачи Коши, возникающей в результате конечноразностной аппроксимации дифференциальных операторов по пространственным переменным, использованы жесткоустойчивые методы Гира. На примере расчета фотоэлектрических процессов в полупроводниковом диоде при высоких уровнях фотовозбуждения показана эффективность предложенного алгоритма.