Ю. Е. Горбачев, М. А. Затевахин, А. А. Игнатьев, “Численное моделирование процессов выращивания $\alpha$-Si:H пленок в PECVD реакторах”, Матем. моделирование, 2004, том 16, номер 6,страницы 28

XII Международная конференция по вычислительной механике и современным прикладным программным системам (ВМСППС'2003)

Численное моделирование процессов выращивания $\alpha$-Si:H пленок в PECVD реакторах

Ю. Е. Горбачев, М. А. Затевахин, А. А. Игнатьев

Институт высокопроизводительных вычислений и информационных систем

Аннотация: В настоящей работе приведено описание программного пакета для моделирования роста пленок аморфного гидрированного кремния ($\alpha$-Si:H) из силано-содержащих (SiH$_4$) смесей в PECVD реакторах. Пакет включает в себя вычислительные модули, пользовательские интерфейсы и средства визуализации и ориентирован на работу на Linux-кластерах. Физико-математическая модель процессов в реакторе и методы решения задачи в одно- и двумерной постановке изложены в [1–3].