Механизм формирования скрытого изображения при импульсном лазерном экспонировании позитивного вуф-резиста на основе ПММА, сенсибилизированного антраценом, и кинетика его проявления

Представлены результаты экспериментального исследования кинетики проявления скрытого изображения, сформированного одноимпульсным лазерным экспонированием (длина волны $\lambda=248$ нм) в резисте ПММА-МАК с антраценом. Предложена математическая модель формирования изображения, учитывающая роль термически активированных процессов (в нашем случае это вскипание остаточного растворителя) при разогреве резистной пленки лазерным излучением. Показано, что эти процессы накладывают существенные ограничения на разрешение и качество формируемых в резисте структур.