Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs

Предложена модель для прогнозирования концентрационных профилей индия и напряжений несоответствия в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии. Моделирование основано на рассмотрении процесса эпитаксиального роста как последовательности формирования воображаемых эпитаксиальных слоев с толщиной, равной параметру кристаллической решетки. Для каждого такого слоя определяются упругие напряжения и вызванное ими смещение термодинамического равновесия, определяющее изменение состава наращиваемого твердого раствора InGaAs. Приводятся результаты расчета концентрационных профилей индия и профилей эффективных сдвиговых напряжений, определяющих вероятность образования дислокаций несоответствия в гетероструктурах с одиночными и множественными квантовыми ямами.