Аннотация:
Рассматривается модель генерации потока релятивистских электронов и электромагнитного поля в технологических объектах со сложной внутренней структурой и идеально проводящей границей. Поток электронов образуется за счет комптоновской ионизации материалов конструкции и газового заполнения объекта. Ионизационное рассеяние комптоновских электронов на молекулах газового заполнения порождает ток медленных электронов. Представлена трехмерная математическая модель самосогласованного электромагнитного поля, описан численный алгоритм решения и реализующий его комплекс программ.