Моделирование протекания электрического тока в искусственном графите

Выполнено моделирование электрического подключения кристаллов в поликристалле для расположения пятен контакта на поверхности с использованием решения краевой задачи для эллиптического уравнения. Для расчета величины искусственного графита использована цепочечная модель и компоненты тензора проводимости квазимонокристалла графита. Рассмотрены параметры, влияющие на его величину и вид температурной зависимости удельного электрического сопротивления, проведена оценка интегральной диссипации электрической энергии вдоль и поперек слоев.